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    淺談:離線雙銀Low-E鍍膜玻璃膜系開發(fā)

    來源:福萊特光伏玻璃集團股份有限公司  作者:*  日期:2014-9-12
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      目前國內(nèi)使用的Low-E鍍膜玻璃產(chǎn)品主要是單銀Low-E鍍膜玻璃,只有少數(shù)幾家玻璃加工企業(yè)可以生產(chǎn)雙銀Low-E鍍膜玻璃(以下簡稱雙銀Low-E),且具有較成熟的生產(chǎn)技術(shù),而這幾家玻璃企業(yè)所生產(chǎn)的雙銀Low-E多為自產(chǎn)自用。
      

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      引言

      目前國內(nèi)使用的Low-E鍍膜玻璃產(chǎn)品主要是單銀Low-E鍍膜玻璃,只有少數(shù)幾家玻璃加工企業(yè)可以生產(chǎn)雙銀Low-E鍍膜玻璃(以下簡稱雙銀Low-E),且具有較成熟的生產(chǎn)技術(shù),而這幾家玻璃企業(yè)所生產(chǎn)的雙銀Low-E多為自產(chǎn)自用。隨著國家建筑節(jié)能要求的不斷提升,建筑節(jié)能性能更高的雙銀Low-E的需求量也在不斷提高。目前國內(nèi)Low-E玻璃市場中,雙銀Low-E使用量不到單銀Low-E使用量的10%。限制雙銀Low-E推廣和使用的原因主要有兩點:一是雙銀Low-E鍍膜玻璃工藝技術(shù)難度較大,生產(chǎn)技術(shù)整體不夠成熟;二是雙銀Low-E市場價格較高。所以,只有了解雙銀Low-E膜系的開發(fā)過程,解決雙銀Low-E在生產(chǎn)中的關(guān)鍵技術(shù)問題,實現(xiàn)雙銀Low-E鍍膜玻璃的產(chǎn)品質(zhì)量和產(chǎn)量的穩(wěn)定,才能夠使這種節(jié)能性能更高的產(chǎn)品的成本降低,并得到更廣泛的推廣和使用。本文即通過雙銀Low-E膜系開發(fā)過程的分析,明確了在雙銀Low-E鍍膜玻璃膜系的開發(fā)過程中應(yīng)注意的問題,并從實際生產(chǎn)的角度提出了一些對于雙銀Low-E膜系開發(fā)的建議。

      1 技術(shù)背景

      真空磁控濺射鍍膜技術(shù)是通過真空磁控濺射鍍膜機實現(xiàn)的,鍍膜機內(nèi)由不同級別的真空泵抽氣,在系統(tǒng)內(nèi)營造出一個鍍膜所需的真空環(huán)境,真空度要達(dá)到Low-E鍍膜所需的本底真空,一般在(1~5)×10-8 Pa。在真空環(huán)境中向靶材(陰極(詞條“陰極”由行業(yè)大百科提供))下充入工藝氣體氬氣(Ar),氬氣在外加電場(由直流或交流電源產(chǎn)生)作用下發(fā)生電離生成氬離子(Ar+),同時在電場E的作用下,氬離子加速飛向陰極靶并以高能量轟擊靶表面,使靶材產(chǎn)生濺射。在濺射粒子中,中性的靶原子(或分子)沉積在玻璃基片上形成薄膜。同時被濺射出的二次電子在陰極暗區(qū)被加速,在飛向基片的過程中,落入設(shè)定的正交電磁場的電子阱中,直接被磁場的洛倫茲力束縛,使其在磁場B的洛倫茲力作用下,以旋輪線和螺旋線的復(fù)合形式在靶表面附近作回旋運動。電子e的運動被電磁場束縛在靠近靶表面的等離子區(qū)域內(nèi),使其到達(dá)陽極前的行程大大增長,大大增加碰撞電離幾率,使得該區(qū)域內(nèi)氣體原子的離化率增加,轟擊靶材的高能Ar+離子增多,從而實現(xiàn)了磁控濺射高速沉積的特點。在運用該機理開發(fā)Low-E膜系的過程中,要注意以下幾個問題:①保證整體工藝中各個環(huán)節(jié)的可靠性。具體包括靶材質(zhì)量、工藝氣體純度、原片新鮮程度、原片清洗質(zhì)量等基礎(chǔ)因素,這一系列因素會對Low-E鍍膜玻璃產(chǎn)品的最終質(zhì)量產(chǎn)生影響。②選擇合適的靶材。要建立的膜系是通過對陰極的前后順序布置實現(xiàn)的。③控制好各環(huán)節(jié)的工藝性能及參數(shù)。如適合的本底真空度、靶材適用的濺射功率、工藝氣體和反應(yīng)氣體用量與輸入均勻性、膜層厚度等。總之,只有控制好以上各因素,才能夠保證所開發(fā)的雙銀Low-E鍍膜玻璃具有穩(wěn)定的顏色、優(yōu)異的機械性能和可加工性。

      此外,在雙銀膜系開發(fā)過程中,原始數(shù)據(jù)的積累和歸納分析非常重要。原始數(shù)據(jù)應(yīng)該包括:膜層結(jié)構(gòu)、各個單層膜的厚度和均勻性調(diào)試數(shù)據(jù)、雙銀Low-E樣片的光學(xué)參數(shù)、面電阻及理化性能試驗數(shù)據(jù)等。

      2 雙銀Low-E鍍膜玻璃膜系的開發(fā)過程

      雙銀Low-E鍍膜玻璃膜系開發(fā)過程中有3個必要條件必須保證:一是硬件的保證。離線雙銀Low-E產(chǎn)品的實現(xiàn)是基于可生產(chǎn)大面積建筑用鍍膜玻璃的真空磁控濺射設(shè)備;二是合理的膜層結(jié)構(gòu)設(shè)計。基于對各膜層材料性能充分理解掌握的基礎(chǔ)上,進(jìn)行合理的膜層結(jié)構(gòu)設(shè)計,才能確保產(chǎn)品在機械性能、抗氧化性能、可加工性上的優(yōu)異表現(xiàn);三是有清晰的開發(fā)流程。明確開發(fā)流程各階段的關(guān)鍵參數(shù)及工作重點,重視原始數(shù)據(jù)的記錄和分析。

      2.1儀器和設(shè)備

      目前,國內(nèi)雙銀Low-E鍍膜玻璃的膜系開發(fā)和生產(chǎn)基本都是在相關(guān)生產(chǎn)企業(yè)內(nèi)完成的,一般在開發(fā)過程中所需要的儀器和設(shè)備見表1。

      2.2 膜層結(jié)構(gòu)設(shè)計

      隨著量子化學(xué)和凝聚態(tài)物理理論上的不斷突破以及計算機技術(shù)的飛速發(fā)展,人們可以根據(jù)所需要的材料結(jié)構(gòu)和性能,設(shè)計出滿足要求的材料,即材料設(shè)計(materials design)方法。現(xiàn)代膜層的結(jié)構(gòu)設(shè)計從原子、分子層次進(jìn)行,即按照應(yīng)用目標(biāo),可以先運用相關(guān)商業(yè)軟件(MS或者其他專用軟件)進(jìn)行設(shè)計,獲得預(yù)期目標(biāo),掌握各個因素在膜層中所起的作用,例如各膜層的成玻璃深加工分,厚度,匹配順序等對產(chǎn)品綜合性能的影響,再與實際生產(chǎn)經(jīng)驗相結(jié)合,可以科學(xué)指導(dǎo)膜層設(shè)計,降低研發(fā)成本,縮短研發(fā)周期。材料制備技術(shù)的整體提升,更得以使原子、分子為起點設(shè)計的材料合成,在微觀尺度上控制其結(jié)構(gòu)的目標(biāo)實現(xiàn)。例如,在高真空條件下的磁控濺射、分子束外延、納米粒子組合、調(diào)制、膠體化學(xué)方法等,使材料研究、薄膜制備設(shè)備對設(shè)計加以驗證,進(jìn)而擴大到工業(yè)化生產(chǎn),實現(xiàn)具有自主知識產(chǎn)權(quán)的技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)全過程。

      按照現(xiàn)行國家標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定,采用磁控濺射法生產(chǎn)的Low-E鍍膜玻璃輻射率(詞條“輻射率”由行業(yè)大百科提供)e應(yīng)小于0.15。目前市場上單銀Low-E鍍膜玻璃的e在0.07~0.12,而雙銀Low-E鍍膜玻璃的輻射率e則能夠控制在0.05以下。Low-E鍍膜玻璃的輻射率e與膜層材料的電導(dǎo)率s有如下關(guān)系:

      從上面關(guān)系式中,可以看出膜層材料的輻射率與膜層電導(dǎo)率成反比關(guān)系,即膜層電導(dǎo)率越高,膜層的輻射率就越低;而膜層的電導(dǎo)率又主要取決于膜層中功能層金屬材料的類別和厚度。雙銀Low-E鍍膜玻璃因鍍了2層Ag,且Ag的總厚度要厚于普通單銀,使膜層有了更高的電導(dǎo)率、更低的輻射率;同時,因為使用了2層Ag,使得雙銀膜系結(jié)構(gòu)變得更為復(fù)雜,在開發(fā)雙銀膜系時,合理布置膜層結(jié)構(gòu)變得非常關(guān)鍵。正是因為雙銀膜系的膜層數(shù)量多,并且各個膜層對鍍膜玻璃的玻璃面顏色、膜面顏色、可見光透過率及顏色影響程度不同,所以,為了使最終產(chǎn)品具有穩(wěn)定的性能和生產(chǎn)重復(fù)性,開發(fā)雙銀膜系的過程,一定要對各個單層的厚度和均勻性足夠重視。

      從圖1中,可以看到1套雙銀膜系包括了9個功能結(jié)構(gòu)層在內(nèi)的9層至10多層膜層。不同功能結(jié)構(gòu)層可選用的材料不同,例如,介質(zhì)層可以選用: SiNx、TiOx、ZnSnOx、SnOx、AZO、ZnAlOx等,保護(hù)層(詞條“保護(hù)層”由行業(yè)大百科提供)可以選擇NiCr及其氧化物、Cr、Ti及其氧化物等。在多種膜層材料中,也可以選擇一種材料和其它幾種材料的組合。所以,如何選擇每個功能結(jié)構(gòu)層的材料至關(guān)重要,涉及諸多選擇因素,如:材料的折射率(詞條“折射率”由行業(yè)大百科提供)密度硬度,對可見光、紅外線的選擇吸收性、反射性,材料的膨脹系數(shù),材料的導(dǎo)電性,不同材料的附著力等。

      2.3 開發(fā)流程

      雙銀Low-E膜系的開發(fā)過程是一個很系統(tǒng)的過程,這個過程的每個階段有不同的工作重點,每個階段要注意一些原始數(shù)據(jù)的記錄積累和分析,逐步建立起適合于生產(chǎn)體系的數(shù)據(jù)庫系統(tǒng),在需要做生產(chǎn)工藝調(diào)整和變動過程中,關(guān)注關(guān)鍵參數(shù)的變化趨勢及其規(guī)律性,才能形成生產(chǎn)規(guī)范并有效指導(dǎo)穩(wěn)定生產(chǎn),只有實現(xiàn)穩(wěn)定生產(chǎn),才能有穩(wěn)定的產(chǎn)品質(zhì)量,實現(xiàn)提升產(chǎn)品成品率和降低成本的目標(biāo)。另外,完整的開發(fā)過程不僅包括所開發(fā)膜系產(chǎn)品的實現(xiàn),還應(yīng)包括為幕墻公司和下游玻璃深加工企業(yè)提供必要的應(yīng)用參數(shù)和后續(xù)加工指導(dǎo)。下游玻璃深加工廠是雙銀Low-E鍍膜玻璃產(chǎn)品的直接使用者,雙銀Low-E鍍膜玻璃的可加工性將在這些工廠里得到檢驗。因此,在開發(fā)雙銀Low-E產(chǎn)品的過程中,要不斷模擬和驗證所開發(fā)的雙銀Low-E鍍膜玻璃在切割、磨邊、鋼化、廠房環(huán)境暴露等情況下,自身的保護(hù)層所提供的保護(hù)性是否可靠。據(jù)筆者經(jīng)驗和已有數(shù)據(jù)分析認(rèn)為:介質(zhì)保護(hù)層厚度和金屬保護(hù)層厚度的配比對雙銀Low-E的可加工性有明顯的影響。具體開發(fā)流程詳見圖2。

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